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基于相干光的微电子光学测量系统技术分析
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摘要:0 引言 从技术发展方向来看,微电子结构的尺寸减小、规模增大的变化趋势不可阻挡,且这种变化在一定程度上能够提高微电子结构的性能。而这种变化也导致微电子行业发展受到诸多
0 引言
从技术发展方向来看,微电子结构的尺寸减小、规模增大的变化趋势不可阻挡,且这种变化在一定程度上能够提高微电子结构的性能。而这种变化也导致微电子行业发展受到诸多新的限制,其中以光学关键尺寸(OCD)问题表现的尤为明显。为了能够更好地适应微电子行业发展需求,相关人员必须要进行技术创新,并在现有技术体系上探索新的工作方向,其中相干光技术的发展顺应了这种变化,值得关注。
1 相干光光学系统在微电子测量中的技术分析
1.1 常规技术的缺陷
从技术角度来看,相干光系统通过成像方法能够测量微结构的表征数据,而由此发展而来的相干光光路系统,是以激光器发出的单色光为光源,在做多角度照明后,平行光达到微结构的表面,并通过收集光路采集光的信息。
在传统的微电子测量技术中,光学关键尺寸测量系统采用了宽光谱光源模式,可对被检测目标做单角度照射,按照不同波长入射光的零级衍射光,结合相关优化算法,在经过反演处理后,获得光栅结构的尺寸数据[1]。而在实际上,传统的测量系统中,其模拟过程忽视了光干涉信息,因此随着微结构的尺寸越小,其误差问题表现得越明显。
1.2 相干傅里叶散射
目前非相干光学散射测量方案是相对成熟的测量手段,部分企业开始通过该技术来进行纳米级别的测量,并且大量的实践经验证明,该技术在微结构参数测量中的效果显著,在确定微结构后,通过对特定波段做测量分析,此时在经过光栅散射后,根据远场提供的衍射信号获得微结构的表征结构。在这个技术流程上,非相干光学散射测量的光源,主要来源于滤波器,属于准单色光。相比之下,本文所采用的相干傅里叶散射技术(CFS)与常规技术相比具有显著优势,能够实现对待测微结构的覆盖性测量,并通过将不同结构的光做叠加扫描后,获得微结构资料;也可以做单一角度入射扫描,工作人员通过调整步进距离,最终提取相干结果。因此在技术上,通过相干傅里叶散射技术,能够周期性识别光栅结构的尺寸资料,并进行多层、单层的扫描,并且因为使用了覆盖测量技术,所以测量结果中的重叠部分中含有相干信息,所以数据的精准度得到保障。
2 相干光光路系统实现
2.1 相干光光路系统的设计思路
在相干光光路系统中,照明部分光路属于激光器发射的光,激光在经过滤波器处理后改变为单色光;单色光在经过散射器的加工处理后,会直接成像至CBFP(共轭后焦平面),经偏振控制器后转变为具有单一偏态特征的线偏光。此时根据科勒照明原理,后焦平面的任意一个透光孔位置上的点光源均可映射为平面波,该平面波可根据测量需求设置特定的偏向角度[2]。
在相干光系统中,多角度照明主要是通过后焦平面上的多个位置照明实现的;用偏振控制器调整光的偏振态状态,由此能够更有效的利用相干光光路参数。每个角度的光在经过透镜与分光片后,最终以多角度照明模式映射至待测光栅上,并在光栅位置产生衍射,衍射光会在接收面完成反射。
2.2 多角度照明方法实现
2.2.1 多角度照明方法的关键技术
本次研究中采用了科勒照明技术实现多角度照明,该技术的主要优势是可以在表面上衍生不同角度的照射光,且每个点光源会最终汇聚至聚光镜后焦平面上。
2.2.2 平行光的衍射计算
在计算中,根据RCWA模型算法的相关要求,可获得零级衍射信号的光强度数据,且其中的数据变化体现了不同角度的光强度数据。
研究期间,通过任意调整一周期的光栅结构,所设置的测试环境为:光栅由硅(Si)材料组成,设置光栅深度200nm,宽度150cm;采集周期300nm,光源波长度532nm。
在光照测量后,结果显示光源波长度与测量结果之间呈现出正比例关系,光波越短则证明尺寸越小,其中将激光器的波长设置为193nm,光栅周期50nm,光栅深度200nm,光栅的凸起尺寸大小为25nm。
2.3 相干光光路系统的应用
在相干光光路系统应用中,本文根据傅里叶域成像方法,对所检测的参数做成像分析,系统的基本结构如图1所示。
图1 系统结构
在图1的结构上,本文使用了在CCD面上成像的方法,这种技术手段的主要优势,就是可以改变待测样本的轴向位置,并满足离焦图像重建的要求,能够快速生成3D图像,满足微电子结构更小尺寸的测量要求,目前来看是突破衍射极限的有效方法,文献[3]指出,这种测量方法已经满足纳米级别的精度测量要求。
文章来源:《微电子学与计算机》 网址: http://www.wdzxyjsjzz.cn/qikandaodu/2021/0207/463.html
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